Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3
Nr artykułu:
     8WVXN-IXBH10N170
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXBH10N170
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Producent: IXYS
Montaż: THT
Obudowa: TO247-3
Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 10A
Prąd kolektora w impulsie: 40A
Czas załączania: 63ns
Czas wyłączania: 1,8µs
Typ tranzystora: IGBT
Moc rozpraszana: 140W
Rodzaj opakowania: tuba
Właściwości elementów półprzewodnikowych: wysokonapięciowa
Ładunek bramki: 30nC
Technologia: BiMOSFET™
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 30,04*
  
Cena obowiązuje od 3 000 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 49,28*
PLN 60,61
za szt.
od 2 szt.
PLN 49,09*
PLN 60,38
za szt.
od 3 szt.
PLN 43,39*
PLN 53,37
za szt.
od 5 szt.
PLN 42,34*
PLN 52,08
za szt.
od 10 szt.
PLN 36,24*
PLN 44,58
za szt.
od 20 szt.
PLN 35,68*
PLN 43,89
za szt.
od 30 szt.
PLN 34,34*
PLN 42,24
za szt.
od 3000 szt.
PLN 30,04*
PLN 36,95
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.