Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; bocznik prądowy; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SEMIX303GB12E4I50P
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SEMIX303GB12E4I50P 27897007
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: SEMiX® 3p
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 300A
Prąd kolektora w impulsie: 900A
Zastosowanie: do UPS;falownik;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit;przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: termistor;półmostek IGBT;bocznik prądowy
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 2 365,33*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 2 365,33*
PLN 2 909,36
za szt.
od 2 szt.
PLN 2 299,30*
PLN 2 828,14
za szt.
od 3 szt.
PLN 2 022,73*
PLN 2 487,96
za szt.
od 5 szt.
PLN 1 964,26*
PLN 2 416,04
za szt.
od 6 szt.
PLN 1 763,83*
PLN 2 169,51
za szt.
od 10 szt.
PLN 1 750,47*
PLN 2 153,08
za szt.
od 12 szt.
PLN 1 646,76*
PLN 2 025,51
za szt.
od 500 szt.
PLN 1 622,92*
PLN 1 996,19
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.