Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; bocznik prądowy; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SEMIX603GB12E4I25P
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SEMIX603GB12E4I25P 27897010
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: SEMiX® 3p
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 600A
Prąd kolektora w impulsie: 1,8kA
Zastosowanie: do UPS;falownik;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit;przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: termistor;półmostek IGBT;bocznik prądowy
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 3 906,26*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 3 906,26*
PLN 4 804,70
za szt.
od 2 szt.
PLN 3 822,31*
PLN 4 701,44
za szt.
od 3 szt.
PLN 3 359,12*
PLN 4 131,72
za szt.
od 5 szt.
PLN 3 323,88*
PLN 4 088,37
za szt.
od 6 szt.
PLN 2 985,12*
PLN 3 671,70
za szt.
od 10 szt.
PLN 2 962,82*
PLN 3 644,27
za szt.
od 12 szt.
PLN 2 790,32*
PLN 3 432,09
za szt.
od 500 szt.
PLN 2 761,65*
PLN 3 396,83
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.