Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; bocznik prądowy; Urmax: 1,2kV


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SEMIX603GB12E4IP
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SEMIX603GB12E4IP 27897000
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: SEMiX® 3p
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 600A
Prąd kolektora w impulsie: 1,8kA
Zastosowanie: do UPS;falownik;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit;przykręcany
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: termistor;półmostek IGBT;bocznik prądowy
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 3 891,54*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 3 891,54*
PLN 4 786,59
za szt.
od 2 szt.
PLN 3 807,40*
PLN 4 683,10
za szt.
od 3 szt.
PLN 3 344,55*
PLN 4 113,80
za szt.
od 5 szt.
PLN 3 310,26*
PLN 4 071,62
za szt.
od 6 szt.
PLN 2 975,64*
PLN 3 660,04
za szt.
od 10 szt.
PLN 2 953,86*
PLN 3 633,25
za szt.
od 12 szt.
PLN 2 779,36*
PLN 3 418,61
za szt.
od 500 szt.
PLN 2 755,80*
PLN 3 389,63
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.