Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 8A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-SKIIP11NAB12T4V1
Producent:
     SEMIKRON DANFOSS
Nr producenta:
     SKIIP 11NAB12T4V1 25231580
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: SEMIKRON DANFOSS
Obudowa: MiniSKiiP® 1
Moc: 4kW
Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 8A
Prąd kolektora w impulsie: 24A
Zastosowanie: do UPS;falownik;fotowoltaika
Montaż elektryczny: Press-Fit
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;półmostek IGBT x3;termistor NTC;boost chopper
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 448,00*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 448,00*
PLN 551,04
za szt.
od 2 szt.
PLN 443,74*
PLN 545,80
za szt.
od 3 szt.
PLN 392,19*
PLN 482,39
za szt.
od 5 szt.
PLN 384,52*
PLN 472,96
za szt.
od 8 szt.
PLN 345,41*
PLN 424,85
za szt.
od 10 szt.
PLN 330,51*
PLN 406,53
za szt.
od 500 szt.
PLN 307,57*
PLN 378,31
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.