Tranzystory IGBT IXYS ROHM Semiconductor kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

IGBT Ic 10 A Uce 650 V 1 DO-263L 106 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 106 W Typ opakowania = DO-263L Liczba styków = 3

ROHM Semiconductor

RGT20NL65GTL

od PLN 5,186*
za szt.

IGBT Ic 10 A Uce 650 V 1 DO-263L 106 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-263L Liczba styków = 3

ROHM Semiconductor

RGT20NL65GTL

od PLN 4,31*
za szt.

IGBT Ic 100 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 350 W (3 ofert)

Dyskretne IGBT, seria IXYS XPT. Gama dyskretnych zasilaczy IGBT firmy IXYS firmy xpt™ jest wyposażona w technologię bardzo lekkiej płytki dziurkowanej, która zmniejsza odporność cieplną i straty en...

IXYS

IXA70I1200NA

od PLN 95,90*
za szt.

IGBT Ic 100 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 350 W (1 Oferta)

IXYS

IXA70I1200NA

od PLN 171,828*
za szt.

IGBT Ic 100 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 450 W (1 Oferta)

Dyskrety IGBT IXYS

IXYS

IXDN55N120D1

od PLN 1 309,05*
za 10 szt.

IGBT Ic 100 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 450 W (1 Oferta)

Dyskrety IGBT IXYS

IXYS

IXDN55N120D1

od PLN 128,216*
za szt.

IGBT Ic 100 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 750 W (3 ofert)

IXYS

IXYH50N120C3

od PLN 30,79*
za szt.

IGBT Ic 100 A Uce 600 V 1 TO-264 Pojedynczy kanał: N 695 W (3 ofert)

Dyskrety IGBT IXYS

IXYS

IXXK100N60C3H1

od PLN 76,13*
za szt.

IGBT Ic 100 A Uce 600 V 1 TO-264 Pojedynczy kanał: N 695 W (1 Oferta)

Dyskrety IGBT IXYS

IXYS

IXXK100N60C3H1

od PLN 2 309,875*
za 25 szt.

IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE

ROHM Semiconductor

RGWSX2TS65DGC13

od PLN 9 495,684*
za 600 szt.

IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE

ROHM Semiconductor

RGWSX2TS65DGC13

od PLN 18,285*
za szt.

IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE

ROHM Semiconductor

RGWSX2TS65GC13

od PLN 12,092*
za szt.

IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE

ROHM Semiconductor

RGWSX2TS65GC13

od PLN 12,289*
za szt.

IGBT Ic 105 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 500 W (2 ofert)

IXYS

IXYN82N120C3H1

od PLN 209,944*
za szt.

IGBT Ic 134 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 690 W (1 Oferta)

IXYS

IXYN100N120C3H1

od PLN 1 961,18*
za 10 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 14 Dalej

Tranzystory IGBT (196 artykułów)