IGBT Ic 100 A Uce 1200 V SOT-227B Pojedynczy kanał: N 450 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8047616

Producent:
IXYS

Nr producenta:
IXDN55N120D1

EAN/GTIN:
5059041489003

Słowa kluczowe:

Dyskrety IGBT IXYS

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	450 W
Typ opakowania:	SOT-227B
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Typ kanału:	N
Liczba styków:	4
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	38.2 x 25.07 x 9.6mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Minimalna temperatura robocza:	-40°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor smd, 8047616, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, IXYS, IXDN55N120D1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 127,976*

Cena obowiązuje od 3 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 173,716*	PLN 213,671	za szt.
od 2 szt.	PLN 162,724*	PLN 200,151	za szt.
od 5 szt.	PLN 154,723*	PLN 190,309	za szt.
od 10 szt.	PLN 149,537*	PLN 183,931	za szt.
od 20 szt.	PLN 143,517*	PLN 176,526	za szt.
od 30 szt.	PLN 139,856*	PLN 172,023	za szt.
od 3000 szt.	PLN 127,976*	PLN 157,41	za szt.