Tranzystory standardowe (474 artykułów)

INFINEON IGBT IGW_, IGZ_, IKW_, IKZ_ TO Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 21 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 4,0 V · (ICpuls) Impulsowy prąd kolek...

INFI IGBT z FRED IKW_, IRG4P_D_, IRG7 Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 33 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 4,9 V · (ICpuls) Impulsowy prąd kolekto...

Tranzystor IGBT Infineon Infineon Technologies SGW25N120 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 45 ns · I (CM): 84 A · Kod producenta: INF · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 313 ...

Tranzystor NF Infineon Infineon Technologies SMBT2907A | Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 200 MHz · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: INF · Moc (maks) P(TOT): 330 mW · Napięcie kolekto...

Tranzystor PNP wysokonapięciowy Infineon Technologies SMBTA92 | Wysokonapięciowy tranzystor PNP (taśma 8 mm) Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 50 MHz · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta:...

Tranzystory wysokonapięciowe SMD BCX_, BF_, Dane techniczne: Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 300 V · Opakowanie: tuba · Prąd kolektora I(C): 500 mA · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Typ ...

Tranzysor IGBT IXYS IXGH30N60C3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 16 ns · I (CM): 150 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 220 W · Napięcie kolektora-e...

Tranzysor IGBT IXYS IXGH32N120A3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 39 ns · I (CM): 230 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 300 W · Napięcie kolektora-...

Tranzystor IXYS IXYS IXGH48N60C3D1 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 19 ns · I (CM): 250 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 300 W · Napięcie kolektor...

Tranzysor IGBT IXYS IXGH72N60A3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 31 ns · I (CM): 400 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 540 W · Napięcie kolektora-e...

Tranzysor IGBT IXYS IXGN200N60B3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 44 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 830 W · Napięcie kolektora...

Zestaw Tranzystorów SMD Kemo S108 | Zestaw zawiera ok. 100 sztuk tranzystorów SMD różnych typów. Dane techniczne: Producent: Kemo · Rodzaj (typ producenta): SMD Transistoren ca. 100 Stück [S108] · ...

Płyta IGBT XPT-GenX3 SOT-227B (mini Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: SOT-227B (miniblok) VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 1200 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 88A VCE(...

Dysk IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-268AA Dane techniczne: Dalsze dane techniczne: Rodzaj opakowania: TO-268HV VCES – napięcie kolektor-emiter (V): 3000 V Prąd kolektora przy 25℃ (A): 104A VCE(sat) - Na...