Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Tranzystor IGBT IXYS IXGN200N60B3, SOT- 227B, N -channel, 600 V


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Produktabbildung
Produktabbildung
Nr artykułu:
     7619-160817-BP
Producent:
     IXYS
Nr producenta:
     IXGN200N60B3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Tranzysor IGBT IXYS IXGN200N60B3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 44 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 830 W · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 600 V · Obudowa: SOT-227B · Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 450 ns · Pojemność wejściowa: 26 nF · Producent: IXYS · Prąd kolektora I©: 300 A · Prąd upływu kolektora I(CES): 50 µA · Q(G): 750 C · Rodzaj (typ producenta): IXGN200N60B3 · Rodzaj montażu: obudowa · Rodzaj produktu: IGBT - moduł · Rodzaj wejścia: Standardowa · Saturacja VCE (maks.): 1.5 V · Seria (elementu półprzewodnikowego): GenX3 · Wykonanie: PT
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, IXYS, IXGN200N60B3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
Jest w magazynie Jest w magazynie
od PLN 237,09*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 277,52*
PLN 341,35
za szt.
od 2 szt.
PLN 273,40*
PLN 336,28
za szt.
od 5 szt.
PLN 264,71*
PLN 325,59
za szt.
od 10 szt.
PLN 258,83*
PLN 318,36
za szt.
od 500 szt.
PLN 237,09*
PLN 291,62
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.