Tranzystory z kanałem N SMD kup korzystnie w Mercateo (strona 13/319)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolarny; 40V; 95A; Idm: 537A (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 95A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...

Nexperia

PSMN3R2-40YLDX

od PLN 1,61*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolarny; 40V; 120A; Idm: 480A (2 ofert)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W ...

Infineon

IAUC120N04S6L008ATMA1

od PLN 4,402*
za szt.

Infineon IPB180N04S4-H0 tranzystor 40 V (2 ofert)

Infineon

IPB180N04S4H0ATMA1

od PLN 5,28*
za szt.

Infineon IPD90N04S4-05 tranzystor (2 ofert)

Infineon

IPD90N04S405ATMA1

od PLN 1,941*
za szt.

Infineon IPD90N04S4-04 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPD90N04S404ATMA1

od PLN 3,00*
za szt.

Infineon IPB120N06S4-02 tranzystor 60 V (2 ofert)

Infineon

IPB120N06S402ATMA2

od PLN 5,38*
za szt.

Infineon IPD50N06S4L-12 tranzystor 40 V (2 ofert)

Infineon

IPD50N06S4L12ATMA2

od PLN 1,613*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolarny; 40V; 100A; 214W (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W ...

Infineon

IPB100N04S303ATMA1

od PLN 4,77*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R6SVFRG

od PLN 82,91*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 75A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M19SVRG

od PLN 55,32*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 75A; 370W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M19SVFRG

od PLN 59,94*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polaryzac...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1001RSVRG

od PLN 78,55*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M45SVRG

od PLN 49,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M45SVFRG

od PLN 55,42*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 22A; Idm: 88A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5024SVRG

od PLN 97,40*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 319 Dalej

Tranzystory z kanałem N SMD (4 784 artykułów)