Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (330 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 180A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI220N200
od PLN 121,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 190A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 190A Polaryzacja: unipolarny Mon...
DACO Semiconductor
DAMIA320N200
od PLN 291,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI280N200
od PLN 199,76*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN230N20T
od PLN 126,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Polaryzacja: unipolarny Mon...
DACO Semiconductor
DAMIA380N200
od PLN 304,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 260A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 260A Polaryzacja: unipolarny Mon...
DACO Semiconductor
DAMIA440N200
od PLN 321,52*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 172ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN300N20X3
od PLN 183,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 300A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 300A Polaryzacja: unipolarny Mon...
DACO Semiconductor
DAMIA500N200
od PLN 336,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 97A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 97A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22JVR
od PLN 136,17*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 146A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 135ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 146A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN170N25X3
od PLN 117,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 168A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 168A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,9mΩ Moc rozp...
IXYS
IXFN180N25T
od PLN 71,39*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 240A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 165ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN240N25X3
od PLN 147,04*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 90A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 266ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN90N25L2
od PLN 175,36*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 110A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N30P
od PLN 99,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 130A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M19JVR
od PLN 312,20*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.