infineon kup korzystnie w Mercateo (strona 420/781)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

100%

MOSFET 60 A HSOF 600 V SMD (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = HSOF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elementów...

Infineon

IGT60R070D1ATMA4

od PLN 30,284*
za szt.

100%

MOSFET 211 A PG-TO220-3 700 V SMD (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd drenu = 211 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPP65R041CFD7XKSA1

od PLN 30,647*
za szt.

100%

MOSFET N-kanałowy 1,5 A SOT-363 20 V SMD 0.25 Ω (1 Oferta)

Tranzystor Infineon OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor jest zgodny z normą AEC Q101.Kanał N. Tryb rozszerzenia Poziom Super Logic (znamionowy 2,5 V)

Infineon

BSD214SNH6327XTSA1

od PLN 0,429*
za szt.

100%

MOSFET 211 A PG-TO263 650 V SMD (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd drenu = 211 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TO263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPBE65R050CFD7AATMA1

od PLN 24,908*
za szt.

100%

MOSFET 211 A PG-TO263 650 V SMD (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd drenu = 211 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TO263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPBE65R050CFD7AATMA1

od PLN 35,96*
za szt.

100%

MOSFET N-kanałowy 1,6 A PQFN 5 mm x 6 mm 100 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 5 mm x 6 mm Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRFH5007TRPBF

od PLN 6,826*
za szt.

100%

Infineon IPB65R150CFD tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPB65R150CFDATMA2

od PLN 7,953*
za szt.

100%

MOSFET 63 A PG-TO247 SMD (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd drenu = 63 A Typ opakowania = PG-TO247 Typ montażu = SMD

Infineon

IPW65R035CFD7AXKSA1

od PLN 45,359*
za szt.

100%

MOSFET 22,4 A PG-TO 263-3 700 V SMD (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd drenu = 22,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = PG-TO 263-3 Typ montażu = SMD

Infineon

IPB65R150CFDATMA2

od PLN 12,162*
za szt.

100%

MOSFET N-kanałowy 1,9 A SOT-223 800 V SMD 3.3 Ω (1 Oferta)

Seria MOSFET Super JUJUJN Infineon 800V Cool MOS™ P7 to idealne rozwiązanie do zastosowań SMPS o niskim zapotrzebowaniu na energię, w pełni zaspokajając potrzeby rynku w zakresie wydajności, łatwoś...

Infineon

IPN80R3K3P7ATMA1

od PLN 1,501*
za szt.

100%

MOSFET 24 A PG-TDSON-8 650 V SMD (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = SMD

Infineon

IPLK60R360PFD7ATMA1

od PLN 2,233*
za szt.

100%

MOSFET 24 A PG-TDSON-8 650 V SMD (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = SMD

Infineon

IPLK60R360PFD7ATMA1

od PLN 3,867*
za szt.

100%

MOSFET N-kanałowy 1,9 A TO-252 80 V SMD 2.8 Ω (1 Oferta)

Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe z tlenkiem metalu półprzewodników”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi st...

Infineon

IPD80R2K8CEATMA1

od PLN 2,597*
za szt.

100%