Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 > Wyszukiwanie "microsemi"

  microsemi  (1 386 ofert spośród 4 793 806 artykułów)

Podobne słowa kluczowe o zoptymalizowanej liście wyników.:
Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „microsemi“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
% ^v
Fotografia
Zamów
Powrót
99%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GL120JU2
od PLN 103,27*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 158A Prąd kolektora w...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT200GN60JDQ4
od PLN 197,68*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek asymetryczny; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT150DH60TG
od PLN 498,31*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 57A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GN120JDQ3
od PLN 193,85*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU2
od PLN 120,11*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 46A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GP60JDQ2
od PLN 134,87*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 26A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 26A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120JDQ2
od PLN 180,62*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT70GR120J
od PLN 123,98*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impuls...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GLQ65JU2
od PLN 98,56*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60GA60JD60
od PLN 135,92*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GF120JRDQ3
od PLN 360,21*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 99A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 99A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT150GN120J
od PLN 170,31*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impu...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GT120JU3
od PLN 163,55*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2; SP4 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT200DU60TG
od PLN 489,30*
za szt.
 
 szt.
99%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GN120JDQ4
od PLN 231,38*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   93   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.