Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Moduł IGBT

  Moduł IGBT  (1 599 ofert spośród 4 811 500 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Moduł IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Moduł IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 1200 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1800 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do zasto...
Infineon
FF1800R12IE5PBPSA1
od PLN 6 494,433*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 46A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 380A Mo...
IXYS
IXYN82N120C3
od PLN 137,34*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 10 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EASY1B Typ kanału = N
Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1
od PLN 123,312*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 775A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 775A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA17E4 22895080
od PLN 892,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 2300 V PRIME3+ 2700 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2300 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2700 kW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu...
Infineon
SP005678645
od PLN 19 797,336*
za 3 szt.
 
 opakowanie
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 2300 V PRIME3+ 2700 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2300 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2700 kW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu...
Infineon
SP005349542
od PLN 12 937,086*
za 2 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA125D 03071 21915710
od PLN 2 295,90*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 2300 V PRIME3+ 2700 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2300 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2700 kW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu...
Infineon
SP005349542
od PLN 6 469,451*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 1,05kA...
IXYS
IXGN200N170
od PLN 251,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ kanału = N Ko...
Infineon
FS100R12W2T7B11BOMA1
od PLN 288,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 750A M...
IXYS
IXYN150N60B3
od PLN 143,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 10 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (2 ofert) 
Trójfazowy prostownik zasilający EasyPIM firmy Infineon, zintegrowany moduł IGBT z technologią TRENCHSTOP IGBT7. Ma on napięcie emitera kolektora 1200 V. Jest on używany w pomocniczym przemienniku,...
Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1
od PLN 117,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 485A Mo...
IXYS
IXYN50N170CV1
od PLN 208,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 4500 V. 3 AG-IHVB190 4000 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 4500 V. Liczba tranzystorów = 3 Konfiguracja = Pojedyncza
Infineon
FZ1800R45HL4BPSA1
od PLN 8 560,616*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
od PLN 842,40*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   107   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.