Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduł IGBT

  Moduł IGBT  (1 572 ofert spośród 4 793 904 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Moduł IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Moduł IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L2.2 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65L2S
od PLN 85,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: F1.1 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65F1S
od PLN 103,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L2.2 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD30PJX65L2S
od PLN 100,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L3.0 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PJX65L3S
od PLN 165,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 300A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GAL07E3 22895590
od PLN 573,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L2.2 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsi...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65L2S
od PLN 106,17*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ACEPACK™2 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsi...
ST Microelectronics
A2C50S65M2
od PLN 243,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 400A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX402GAR066HDS 27891106
od PLN 885,43*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impuls...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GLQ65JU2
od PLN 98,52*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: C5 45mm Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impu...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PIX65C5S
od PLN 231,99*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 300A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX302GAR12E4S 27890222
od PLN 934,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3p Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GAR12E4P 27895040
od PLN 1 984,45*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX1S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAR12E4S 27890104
od PLN 532,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor NTC; SP4 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT100SK170TG
od PLN 486,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 4s Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX604GAR12E4S 27890156
od PLN 1 692,48*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   105   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.