Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach

Nr artykułu:
     8WVXN-GD20PJX65L2S
Producent:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Nr producenta:
     GD20PJX65L2S
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Obudowa: L2.2
Napięcie wsteczne maks.: 650V
Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor
Napięcie bramka - emiter: ±20V
Prąd kolektora: 20A
Prąd kolektora w impulsie: 40A
Montaż elektryczny: Press-in PCB
Montaż mechaniczny: przykręcany
Typ modułu: IGBT
Technologia: Trench FS IGBT
Topologia: mostek 3-fazowy diodowy;termistor NTC;boost chopper;mostek 3-fazowy IGBT wyjście OE
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 165,98*
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 165,98*
PLN 204,16
za szt.
od 2 szt.
PLN 159,09*
PLN 195,68
za szt.
od 3 szt.
PLN 140,18*
PLN 172,42
za szt.
od 5 szt.
PLN 138,18*
PLN 169,96
za szt.
od 10 szt.
PLN 136,19*
PLN 167,51
za szt.
od 12 szt.
PLN 122,32*
PLN 150,45
za szt.
od 20 szt.
PLN 117,61*
PLN 144,66
za szt.
od 24 szt.
PLN 116,85*
PLN 143,73
za szt.
od 3000 szt.
PLN 106,03*
PLN 130,42
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.