Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduł IGBT

  Moduły IGBT  (1 529 ofert spośród 4 799 010 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Moduły IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Moduł IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 650 A Uce 1200 V Moduł 62 mm Pojedynczy kanał: N 2,25 kW (1 Oferta) 
Moduły IGBT, Infineon. Oferta modułów Infineon firmy IGBT zapewnia niską utratę przełączania przy przełączaniu do 60 kHz. IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięci...
Infineon
FZ400R12KE3B1
od PLN 5 028,94*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł IGBT Ic 650 A Uce 1200 V SimBus F Szereg kanał: N 2,1 kW (1 Oferta) 
Moduły IGBT, IXYS
IXYS
MIXA450PF1200TSF
od PLN 2 079,99702*
za 3 szt.
 
 opakowanie
Moduł IGBT Ic 81 A Uce 1200 V SEMITRANS2 Szereg kanał: N (1 Oferta) 
Dwa moduły IGBT. Seria modułów SEMITOP® IGBT firmy Semikron, zawierająca dwa połączone szeregowo (półmostek) urządzenia IGBT. Moduły są dostępne w szerokim zakresie napięć i prądów znamionowych i s...
Semikron
SKM50GB12T4
od PLN 274,87*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 90 A Uce 1200 V Y4 M5 Szereg kanał: N (2 ofert) 
Moduły IGBT, IXYS
IXYS
MII75-12A3
od PLN 213,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GAL12E4 22892334
od PLN 513,30*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 2mA Mostek połówkowy NPN (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Moduł IGBT, Typ=SKM150GB12T4G, Ciągły prąd kolektora (Ic)=223 A, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))=2.1 V, Prąd upływu emit...
Semikron
SKM150GB12T4G
od PLN 607,41*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Konfiguracja = 3-fazowe Typ montażu = Montaż w...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
od PLN 11 519,67*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 379A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 379A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX402GAL066HDS 27891104
od PLN 366,75*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = 3-fazowe Typ montażu = M...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
od PLN 1 121,434*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 39 A Uce 1200 V 7 175 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 39 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 7
Infineon
FP25R12W2T4BOMA1
od PLN 187,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 179A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GAL12T4 22892300
od PLN 299,47*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = 3-fazowe Typ montażu = M...
Infineon
FP100R12N2T7BPSA1
od PLN 5 206,43*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł IGBT Ic 22 A Uce 600 V Moduł 81 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 22 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 81 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP15R06W1E3BOMA1
od PLN 134,462*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 124A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39ANB16V1 25230180
od PLN 746,49*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Konfiguracja = 3-fazowe Typ montażu = Montaż w...
Infineon
FP100R12N2T7BPSA1
od PLN 522,639*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   102   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.