Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduł IGBT

  Moduły IGBT  (1 529 ofert spośród 4 799 009 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Moduły IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Moduł IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 123A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL12T4 22892600
od PLN 210,44*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w ...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
od PLN 1 109,754*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Semikron SKM400GA12V SEMITRANS R 4, 1200 V, 612 A (1 Oferta) 
Moduł IGBT SEMITRANS® Semikron 22892103 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 350 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: SKR · Konfiguracja: Pojedynczy · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 12...
Semikron
22892103
od PLN 972,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL12E4 22892314
od PLN 611,13*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 310 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł EasyPACK
Infineon
SP005434947
od PLN 909,331*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT Semikron Semikron 22890695 SPT moduł IGBT Rodzaj obudowy SEMITRA (1 Oferta) 
Tranzystor IGBT Semikron Semikron 22890695 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 250 ns · I (CM): 200 A · Kod producenta: SKR · Konfiguracja: Pojedynczy · Napięcie kolektora-emitera U(CES): ...
Semikron
22890695
od PLN 683,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL125D 22890750
od PLN 978,99*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Konfiguracja = Seria Typ montażu = Montaż w ob...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
od PLN 5 471,03*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w im...
Infineon
FD300R12KE3HOSA1
od PLN 677,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w ...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
od PLN 531,313*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SMPD-B...
IXYS
IXA30RG1200DHGLB
od PLN 29,99*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 310 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł EasyPACK
Infineon
SP005434947
od PLN 5 991,14802*
za 6 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 22A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 5,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 22A Prąd kolekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 22NAB126V10 25230390
od PLN 428,69*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w o...
Infineon
FP35R12N2T7BPSA1
od PLN 2 688,48*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 11kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolekto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB126V1 25230070
od PLN 617,43*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   102   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.