mosfet 40v kup korzystnie w Mercateo (strona 35/118)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IPG20N04S4-09 tranzystor 40 V (2 ofert)

Infineon

IPG20N04S409ATMA1

od PLN 1,99*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 40V; 5,3A; 1,3W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryzacyjna Moc roz...

Vishay

SQ4940AEY-T1_GE3

od PLN 2,45*
za szt.

Infineon IPB100N04S2-04 tranzystor (1 Oferta)

Infineon

IPB100N04S204ATMA4

od PLN 7 966,49*
za 1 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 107 W 4,2 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...

Vishay

SQD40020EL_GE3

od PLN 3,218*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.0033 O. (1 Oferta)

Seria produktów OptiMOS firmy Infineon jest dostępna w pakietach o wysokiej wydajności, które zapewniają pełną elastyczność w ograniczonej przestrzeni. Te produkty firmy Infineon zostały zaprojekto...

Infineon

IPB100N04S204ATMA4

od PLN 11,308*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A 8 x 8L 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = 8 x 8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...

Vishay

SQJQ936EL-T1_GE3

od PLN 17 041,32*
za 2 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.0022 Ω, 0.0027 Ω (1 Oferta)

Vishay SQM40020EL_GE3 to samochodowy N-kanałowy MOSFET o napięciu 40V (D-S) 175°C.Układ MOSFET zasilania TrenchFET® Obudowa i niskim oporze cieplnym Rg i UIS testowane w 100 % Kwalifikacja AEC-Q101

Vishay

SQM40020EL_GE3

od PLN 5,01*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

ROHM Semiconductor

RS6G100BGTB1

od PLN 2,976*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4

ST Microelectronics

STK130N4LF7AG

od PLN 3,605*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A 8 x 8L 40 V SMD (1 Oferta)

Vishay

SQJQ936EL-T1_GE3

od PLN 8,727*
za szt.

Infineon IAUC100N04S6N015 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1

od PLN 2,22806*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.0022 Ω, 0.0027 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna ...

Vishay

SQM40020EL_GE3

od PLN 5,238*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

ROHM Semiconductor

RS6G100BGTB1

od PLN 2,519*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4

ST Microelectronics

STK130N4LF7AG

od PLN 3,77*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 107 W 4,7 milioma (1 Oferta)

Vishay

SQD40020E_GE3

od PLN 3,751*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .. 118 Dalej

mosfet 40v (1 758 przefiltrowanych ofert spośród 4 784 733 artykułów)

"MOSFET"