MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 301/818)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 98 A PLUS247 500 V Pojedynczy 1,3 kW 50 miliomów (4 ofert)

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar3™. Seria N IXYS polar3™ tranzystorów zasilających MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™)

IXYS

IXFX98N50P3

od PLN 46,95*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 400 mA, 700 mA SOT-363 20 V SMD Izolacja 340 mW 1,48 Ω, 578 mΩ (1 Oferta)

Podwójny MOSFET N/P-Channel, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1553CDL-T1-GE3

od PLN 7,97*
za 20 szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3,1 A; 3,7 A MicroFET 2 x 2 20 V SMD Izolacja 1,4 W 68 miliomów, 95 miliomów (1 Oferta)

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor. Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą ...

onsemi

FDMA1032CZ

od PLN 1,566*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3,9 A, 2,1 A TSOP-6 20 V SMD 0.058 O,0.195 O (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,9 A, 2,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSOP-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezysta...

Vishay

SI3585CDV-T1-GE3

od PLN 16,84*
za 20 szt.

MOSFET N-kanałowy 98 A TDSON 120 V SMD Pojedynczy 139 W 7,7 milioma (1 Oferta)

Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 100 V i więcej

Infineon

BSC077N12NS3GATMA1

od PLN 4,252*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 460 mA, 680 mA SOT-23 25 V SMD Izolacja 900 mW 1.1 Ω, 450 mΩ (1 Oferta)

Cyfrowe FETs, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDC6321C

od PLN 1,685*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3,5 A; 3,9 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 95 mΩ, 190 mΩ (1 Oferta)

Dwa tryby usprawniające MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory działające w trybie poprawy efektów polowych są produkowane przy użyciu własnych tranzystorów Fairchild, o wysokiej gęstości kom...

onsemi

SI4532DY

od PLN 2,144*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 340 mA, 510 mA SOT-23 60 V SMD Izolacja 960 mW 4 Ω, 10 Ω (1 Oferta)

onsemi

NDC7001C

od PLN 5,24*
za 10 szt.

MOSFET N-kanałowy 98 A TO-264 500 V Pojedynczy 1,3 kW 50 miliomów (3 ofert)

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar3™. Seria N IXYS polar3™ tranzystorów zasilających MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™)

IXYS

IXFK98N50P3

od PLN 48,19*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5 A; 6,5 A SOIC 20 V SMD Izolacja 1,6 W, 2 W 50 mΩ, 90 mΩ (1 Oferta)

onsemi

FDS9934C

od PLN 12,64*
za 10 szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3,9 A; 5,3 A SOIC 60 V SMD Izolacja 3,1 W; 3,4 W 72 mΩ, 150 mΩ (3 ofert)

Podwójny MOSFET N/P-Channel, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4559ADY-T1-GE3

od PLN 1,60*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,1 A; 4,6 A WDFN 20 V SMD Izolacja 2,3 W 120 mΩ, 200 mΩ (1 Oferta)

Podwójny MOSFET N/P-Channel, ON Semiconductor. NTJD1155L jest dwukanałowym MOSFET. MOSFET, wyposażony zarówno w kanały P, jak i N w jeden pakiet, jest doskonały do niskiego sygnału kontrolnego, nis...

onsemi

NTLJD3119CTBG

od PLN 3 535,62*
za 3 000 szt.

MOSFET N-kanałowy 99 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 143 W 8,3 milioma (3 ofert)

Tranzystor MOSFET o mocy od 60 V do 80 V, Infineon. Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowy...

Infineon

IRLR3636TRPBF

od PLN 2,76*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,3 A; 6,6 A SOIC 20 V SMD Izolacja 2 W 46 mΩ, 98 mΩ (1 Oferta)

Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon. Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączania w k...

Infineon

IRF7317TRPBF

od PLN 24,26*
za 20 szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 350 mA, 600 mA SC-89-6 20 V SMD Izolacja 625 mW 1,2 Ω, 700 mΩ (2 ofert)

onsemi

FDY4000CZ

od PLN 0,569*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 .. 818 Dalej

MOSFET (12 264 ofert spośród 4 801 264 artykułów)

"MOSFET"