![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
Microchip Technology TC1411NCPA |
od PLN 3,44* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 4.9A, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM2314CX RFG, Ciągły prąd drenu (Id)=4.9 A, Czas narastania=1.4 ns, Czas opadania=5.9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=13.5 ns, Czas opóźnienia włączenia=0.53 ns, Napięcie bra... |
Taiwan Semiconductor TSM2314CX RFG |
od PLN 1,10* za szt. |
|
|
MOSFET 51 A PDFN56 60 V 13 m.Ω (1 Oferta) Tranzystory MOSFET z jednokanalowym zasilaniem Taiwan Semiconductor N to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi prz... |
Taiwan Semiconductor TSM130NB06CR |
od PLN 9 325,325* za 2 500 szt. |
|
|
|
Microchip Technology TC1411CPA |
od PLN 3,58* za szt. |
|
|
Taiwan Semiconductor TSM2312CX RFG MOSFET 1 szt. (1 Oferta) N-Ch 20 V 5 A 1,25 W 0,033R SOT23 Dane techniczne: Maksymalna temperatura robocza: 150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodniko... |
Taiwan Semiconductor TSM2312CX RFG |
od PLN 2,01* za szt. |
|
|
MOSFET 51 A PDFN56 40 V 11 m.Ω (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TSM025 Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 11 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napię... |
Taiwan Semiconductor TSM110NB04LCR |
od PLN 2,65* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 20V, 4.7A, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM2323CX RFG, Ciągły prąd drenu (Id)=4.7 A, Czas narastania=43 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=71 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źr... |
Taiwan Semiconductor TSM2323CX RFG |
od PLN 2,55* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,489* za szt. |
|
|
|
Microchip Technology TC4451VPA |
od PLN 12,16* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 200V, 17A, TO-220AB (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRL640PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=17 A, Czas narastania=83 ns, Czas opadania=52 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=44 ns, Czas opóźnienia włączenia=8 ns, Napięcie bramka-źródło=1... |
|
od PLN 3,36* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 3.9A, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM2318CX RFG, Ciągły prąd drenu (Id)=3.9 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źró... |
Taiwan Semiconductor TSM2318CX RFG |
od PLN 1,16* za szt. |
|
|
MOSFET 55 A PDFN56 30 V 8 m.Ω (1 Oferta) nie odlewnieTranzystory MOSFET z jednokanalowym zasilaniem Taiwan Semiconductor N to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi ste... |
Taiwan Semiconductor TSM080N03EPQ56 |
od PLN 6 780,025* za 2 500 szt. |
|
|
|
Microchip Technology MCP14E8-E/P |
od PLN 7,66* za szt. |
|
|
Taiwan Semiconductor TSM240N03CX RFG MOSFET 1 szt. (2 ofert) N-Ch 30 V 6,5 A 1,56 W 0,024R SOT23 Dane techniczne: Maksymalna temperatura robocza: 150 °C · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodni... |
Taiwan Semiconductor TSM240N03CX RFG |
od PLN 0,89* za szt. |
|
|
MOSFET 54 A PDFN56 40 V 11 m.Ω (1 Oferta) Tranzystory MOSFET z jednokanalowym zasilaniem Taiwan Semiconductor N to „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi prz... |
Taiwan Semiconductor TSM110NB04CR |
od PLN 6 896,25* za 2 500 szt. |
|
|