Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 20A, TO-247 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP460PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=59 ns, Czas opadania=58 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=110 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 8,59*
za szt. |
| |
MOSFET AG-EASY3B 2000 V SMD (1 Oferta) Maksymalne napięcie dren-źródło = 2000 V Typ opakowania = AG-EASY3B Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 1 153,143*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology TC4424EOE |
od PLN 6,62*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,29*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 9 421,60*
za 2 500 szt. |
| |
|
|
od PLN 3,00*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 530mA, TO-92 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TN0702N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=530 mA, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źród... |
Microchip Technology TN0702N3-G |
od PLN 3,73*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 9 575,20*
za 2 500 szt. |
| |
|
Microchip Technology MCP1403-E/SO |
od PLN 8,99*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 5,24*
za szt. |
| |
MOSFET B4E 65 V SMD 1 Ω (1 Oferta) The STMicroelectronics RF2L16180CB4 is 180 W, 28 V internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 16... |
ST Microelectronics RF2L16180CB4 |
od PLN 591,382*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology MCP14A1202-E/MS |
od PLN 7,72*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,30*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 9,77*
za szt. |
| |
MOSFET B4E 110 V SMD 1 Ω (1 Oferta) The STMicroelectronics RF5L08350CB4 is a 400 W 50 V high-performance, internally matched LDMOS FET, designed for multiple applications over the frequency band 0.4 to 1 GHz.High efficiency and linea... |
ST Microelectronics RF5L08350CB4 |
od PLN 591,442*
za szt. |
| |
|
