Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 634 ofert spośród 4 794 194 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 3,8A; Idm: 14A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 126mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,33W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SI3474DV-T1-GE3
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 130 A PQFN 3 x 3 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 130 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...
Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1
od PLN 4,009*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 20V; 3,6A; 1W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2300A
od PLN 0,89*
za 10 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 134 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 134 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Infineon
BSC022N04LSATMA1
od PLN 4,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 139 A PG-TO252-3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 139 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPD028N06NF2SATMA1
od PLN 3,199*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 100V; 7,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12N10A
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 130 A PowerPAK SO-8 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 130 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIR182LDP-T1-RE3
od PLN 4,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 150V; 2,8A; Idm: 50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarny ...
Vishay
SI4488DY-T1-GE3
od PLN 3,12*
za szt.
 
 szt.
Infineon BSC0501NSI tranzystor 25 V (1 Oferta)
Infineon
BSC0501NSIATMA1
od PLN 2,482*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 4,5A; 1,2W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3404A
od PLN 1,13*
za 10 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 135 A DFNW8 150 V SMD 0.0064 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 135 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = DFNW8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...
onsemi
NTMTS6D0N15MC
od PLN 11,016*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 200V; 75A; 190W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryzac...
ST Microelectronics
STB75NF20
od PLN 12,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 139 A TO-220 150 V 5 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 139 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = PowerTrench Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
onsemi
NTP5D0N15MC
od PLN 10,963*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 50A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A
od PLN 1,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 130 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.0036 Ω (1 Oferta) 
Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET posiada pakiet typu PowerPAK SO-8L o prądzie spustowym 130 A.Tranzystor MOSFET TrenchFET Gen IV Kwalifikacja AEC-Q101 100 % badanych RG i UIS Pr...
Vishay
SQJ144EP-T1_GE3
od PLN 1,679*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   511   512   513   514   515   516   517   518   519   520   521   ..   1443   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.