Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 622 ofert spośród 4 794 536 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Infineon IPW60R170CFD7 tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPW60R170CFD7XKSA1
od PLN 11,055*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 6A; 300W; TO247-3; 850ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 850ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTH6N120
od PLN 33,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14 A TO-247N 1200 V 0.28 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
ROHM Semiconductor
SCT2280KEHRC11
od PLN 39,896*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 105A; 1135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26F120L
od PLN 112,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 145 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD 0.018 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 145 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SiC Power Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
onsemi
NTBG015N065SC1
od PLN 122,801*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 26A; 960W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX26N120P
od PLN 103,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 147 A PQFN 3 x 3 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 147 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...
Infineon
BSZ021N04LS6ATMA1
od PLN 4,798*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,2W; SOT323 (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2...
Micro Commercial Components
BSS123W-TP
od PLN 0,695*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 14 A TO-247AC 500 V Pojedynczy 190 W 400 miliomów (3 ofert) 
MOSFET, MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP450LCPBF
od PLN 5,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT13F120S
od PLN 61,30*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14 A VSONP 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = VSONP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Texas Instruments
CSD19538Q3A
od PLN 4 067,40*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 24A; 520W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja...
IXYS
IXFL32N120P
od PLN 183,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 145 A TDSON-8 FL 40 V SMD 0.015 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 145 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = ISC015N04NM5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
ISC015N04NM5ATMA1
od PLN 2,844*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3,5A; Idm: 14A; 135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1204R7BFLLG
od PLN 43,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 149 A 900 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 149 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 900 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 20 Materiał tranzystora = SiC
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
od PLN 803,01*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   521   522   523   524   525   526   527   528   529   530   531   ..   1442   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.