Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 590 ofert spośród 4 791 544 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9A; Idm: 50A; 1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: u...
Diodes
DMN4800LSSQ-13
od PLN 0,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9,5A; Idm: 80A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja:...
Diodes
DMN3016LSS-13
od PLN 0,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 302 A PG-TO263-7 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 302 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPF009N04NF2SATMA1
od PLN 9,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 89A; 89W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 89A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 89W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka ...
Infineon
IRLR8103VTRPBF
od PLN 3 546,94*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 30 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 0.013 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = OptiMOS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4
od PLN 3,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 0,2A; 113W; TO268HV; 1,6us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,6µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 625Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 11...
IXYS
IXTT02N450HV
od PLN 90,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A H2PAK-7 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = H2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7
ST Microelectronics
SCT040H65G3AG
od PLN 50,70*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC0909NSATMA1
od PLN 0,89*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3,5 A SOT-457T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RTQ035N03HZGTR
od PLN 0,715*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 305 mA SOT-563F 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 305 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-563F Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI1026X-T1-GE3
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A HU3PAK 650 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = HU3PAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Tryb kanałowy = Rozszerzenie
ST Microelectronics
SCT055HU65G3AG
od PLN 39,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 0,31A; 1W; DIP4 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: DIP4 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 0,31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
IRFD320PBF
od PLN 2,02*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A PG-TDSON-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPD30N03S2L20ATMA1
od PLN 1,863*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 350V; 0,13A; 2,5W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 350V Prąd drenu: 0,13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
CPC3708ZTR
od PLN 1,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: u...
Diodes
DMN3015LSD-13
od PLN 0,87*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1440   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.