MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 970/1 439)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3 A, 3,5 A TSMT-8 60 V SMD 0.09 (kanał N) o, 0.091 (kanał P) o (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A, 3,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = QH8MC5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...

ROHM Semiconductor

QH8MC5TCR

od PLN 1,516*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 200V; 220A; 960W; TO264 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 116ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W...

IXYS

IXFK220N20X3

od PLN 56,53*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 1,1 A HVMDIP 50 V (2 ofert)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = HVMDIP Typ montażu = Otwór przezierny

Vishay

IRFD9010PBF

od PLN 1,66*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A, 3,3 A TSOT-26 20 V SMD 1,1 W 160 (PChannel) mΩ, 91 (NChannel) mΩ (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A, 3,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSOT-26 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystan...

Diodes

DMC2057UVT-7

od PLN 1,465*
za 5 szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 3,8/-4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50/38m...

Alpha & Omega Semiconductor

AON3611

od PLN 0,95*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 14 A PowerDI5060-8 30 V (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8

Diodes

DMP3011SPSW-13

od PLN 2 562,75*
za 2 500 szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; 120ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 30...

IXYS

IXTH52P10P

od PLN 19,37*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 3,1 A SOIC 60 V SMD 0.12 O, 0.25 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOIC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren...

Diodes

DMHC6070LSD-13

od PLN 2,099*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 200V; 36A; 176W; TO263 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 75ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 176W Po...

IXYS

IXFA36N20X3

od PLN 10,01*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 1,1 A SOT-223 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

ISP75DP06LMXTSA1

od PLN 1,35*
za szt.

Infineon BSD235C tranzystor 20 V (2 ofert)

Infineon

BSD235CH6327XTSA1

od PLN 0,349*
za szt.

MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4 A, 6 A SOP 45 V SMD 0.025 Omh, 0.046 Omh (1 Oferta)

Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A, 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Seria = SP8M21 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...

ROHM Semiconductor

SP8M21HZGTB

od PLN 4,894*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 7,4/-7,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,028/0,025Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...

Diodes

DMC3028LSD-13

od PLN 0,80*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 14 A, 74 A DPAK (TO-252) 40 V SMD 0,019 oma (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A, 74 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMP4011 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...

Diodes

DMP4011SK3-13

od PLN 4,036*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -22A; 150W; 150ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...

IXYS

IXTR36P15P

od PLN 25,45*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 961 962 963 964 965 966 967 968 969 970 971 .. 1439 Dalej

MOSFET (21 582 ofert spośród 4 765 936 artykułów)

"MOSFET"