Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 > Wyszukiwanie "msc040sma120b4"

  msc040sma120b4  (9 ofert spośród 4 793 791 artykułów)

Podobne słowa kluczowe o zoptymalizowanej liście wyników.:
Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „msc040sma120b4“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
% ^v
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
100%
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 323W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120B4
od PLN 93,17*
za szt.
 
 szt.
100%
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247-4 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Materiał tranzystora = SiC
Microchip Technology
MSC040SMA120B4
od PLN 88,786*
za szt.
 
 szt.
100%
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247-4 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Microchip Technology
MSC040SMA120B4
od PLN 96,22*
za szt.
 
 szt.
96%
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 323W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120B
od PLN 90,52*
za szt.
 
 szt.
96%
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Materiał tranzystora = SiC
Microchip Technology
MSC040SMA120B
od PLN 86,257*
za szt.
 
 szt.
96%
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Materiał tranzystora = SiC
Microchip Technology
MSC040SMA120B
od PLN 93,72*
za szt.
 
 szt.
92%
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 90A; 200W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120B4
od PLN 49,55*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247-4 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Materiał tranzystora = SiC
Microchip Technology
MSC080SMA120B4
od PLN 1 230,48*
za 30 szt.
 
 opakowanie
92%
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247-4 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Microchip Technology
MSC080SMA120B4
od PLN 50,19*
za szt.
 
 szt.

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.