Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 > Wyszukiwanie "sihp17n80aege3"

  sihp17n80aege3  (18 ofert spośród 4 791 925 artykułów)

Podobne słowa kluczowe o zoptymalizowanej liście wyników.:
Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „sihp17n80aege3“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
% ^v
Fotografia
Zamów
99%
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220AB 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E jest wyposażony W PAKIET TYPU TO-220AB o prądzie spustowym 15 A.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i pr...
Vishay
SIHP17N80AE-GE3
od PLN 6,902*
za szt.
 
 szt.
99%
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220AB 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Vishay
SIHP17N80AE-GE3
od PLN 7,21*
za szt.
 
 szt.
98%
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220AB 850 V 0.305 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.3...
Vishay
SiHP17N80AEF-GE3
od PLN 6,69*
za szt.
 
 szt.
98%
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220AB 850 V 0.305 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.3...
Vishay
SiHP17N80AEF-GE3
od PLN 6,63*
za szt.
 
 szt.
96%
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIHP17N80E-GE3
od PLN 15,07*
za szt.
 
 szt.
92%
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SIHA17N80E-GE3
od PLN 13,83*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 15 A D2PAK (TO-263) 800 V SMD 0.25 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.25 ...
Vishay
SIHB17N80AE-GE3
od PLN 5,608*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 15 A D2PAK (TO-263) 800 V SMD 0.25 Ω (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma zestaw typu D2PAK (TO-263) o prądzie odpływowym 15 ANiska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i przewodzeni...
Vishay
SIHB17N80AE-GE3
od PLN 6,64*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247AC 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E jest wyposażony W ZESTAW O PRĄDZIE odpływowym 15 A i MOCY 247 AC.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i p...
Vishay
SIHG17N80AE-GE3
od PLN 7,399*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247AC 800 V 0.25 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = E Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.25 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = ...
Vishay
SIHG17N80AE-GE3
od PLN 7,97*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 7 A TO-220 FP 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = E Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.25 Ω Maks...
Vishay
SIHA17N80AE-GE3
od PLN 5,461*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 7 A TO-220 FP 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma typ FULLPAK typu Thin-Lead TO-220 z prądem odpływowym 7 A.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i przew...
Vishay
SIHA17N80AE-GE3
od PLN 6,562*
za szt.
 
 szt.
90%
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247AC 850 V 0.305 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Vishay
SiHG17N80AEF-GE3
od PLN 8,21*
za szt.
 
 szt.
90%
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247AC 850 V 0.305 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.3...
Vishay
SiHG17N80AEF-GE3
od PLN 7,818*
za szt.
 
 szt.
90%
MOSFET N-kanałowy 6,5 A TO-220 FP 850 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = TO-220 FP Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Vishay
SiHA17N80AEF-GE3
od PLN 9,488*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   Wszystkie    strona: 1   2   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.