Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 > Wyszukiwanie "siss5708dnt1ge3"

  siss5708dnt1ge3  (9 ofert spośród 4 804 334 artykułów)

Podobne słowa kluczowe o zoptymalizowanej liście wyników.:
Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „siss5708dnt1ge3“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
% ^v
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
99%
MOSFET N-kanałowy 33,8 A PowerPAK 1212-8S 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = ...
Vishay
SISS5708DN-T1-GE3
od PLN 3,753*
za szt.
 
 szt.
99%
MOSFET N-kanałowy 33,8 A PowerPAK 1212-8S 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = ...
Vishay
SISS5708DN-T1-GE3
od PLN 11 078,22*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
93%
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 156,4A; 42W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 156,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,87mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryz...
Vishay
SISS08DN-T1-GE3
od PLN 2,61*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 55,9 A 1212-8S 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 55,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerze...
Vishay
SISS5108DN-T1-GE3
od PLN 5,183*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 55,9 A 1212-8S 100 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 55,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerze...
Vishay
SISS5108DN-T1-GE3
od PLN 4,76*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 66,6 A 1212-8S 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 66,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
Vishay
SISS5808DN-T1-GE3
od PLN 5,467*
za szt.
 
 szt.
92%
MOSFET N-kanałowy 66,6 A 1212-8S 80 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 66,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
Vishay
SISS5808DN-T1-GE3
od PLN 11 630,43*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
90%
Tranzystor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolarny; 125V; 24,8A; Idm: 50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 125V Prąd drenu: 24,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42,1W Polar...
Vishay
SISS70DN-T1-GE3
od PLN 2,93*
za szt.
 
 szt.
90%
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 45V; 86A; Idm: 300A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 45V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja...
Vishay
SISS50DN-T1-GE3
od PLN 1,94*
za szt.
 
 szt.

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.