|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2800002 Nr producenta:
SISS5808DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 66,6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V
Typ opakowania = 1212-8S
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 8
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 66,6 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | 1212-8S | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, 2800002, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SISS5808DNT1GE3 |
| | |
| | | Oferty (2) | | |
| | Stan magazynu | Min. liczba zamawianych produktów | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | 2 | | PLN 12,90* | od PLN 11 645,67* | PLN 11 801,79* | | | | Magazyn 3MTJS | | | | 1 | | Dostawa bezpłatna | od PLN 15 801,90* | PLN 15 990,12* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 3MTJS | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1 opakowanie zawiera 3 000 szt. (od PLN 5,2673* za szt.) |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 3MTJS | | Wysyłka: Magazyn 3MTJS | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 15,90* | | od PLN 330,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS | | | | Okres czasu: | w przeciągu 21 dni | | Stan opakowania: | opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń | | Stan towaru: | nieużywany | | Koszty przesyłki zwrotnej: | ponosi klient | | Opłata manipulacyjna: | Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku. | | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|