Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystor MOSFET  (21 624 ofert spośród 4 795 412 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 0,35A; 0,08W; SC75A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC75A Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 80mW Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI1012R-T1-GE3
od PLN 0,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TDSON 60 V SMD 0.026 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Infineon
IPG20N06S4L26AATMA1
od PLN 2,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A LFPAK56E 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = LFPAK56E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
PSMN2R0-55YLHX
od PLN 9,893*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 65A; Idm: 260A; 329W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M36BLLG
od PLN 45,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 205 A PG-TSON SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 205 A Typ opakowania = PG-TSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1
od PLN 6,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 202 A TO-220 (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 202 A Typ opakowania = TO-220
Infineon
AUIRF1404
od PLN 32,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A ThinkPAK 8 x 8 600 V SMD 0.104 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS C7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPL60R104C7AUMA1
od PLN 16,664*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A LFPAK8 40 V SMD Pojedynczy 110 W 2,2 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...
onsemi
NVMJS1D5N04CLTWG
od PLN 4,708*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 74A; Idm: 296A; 403W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M34BFLLG
od PLN 57,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 205 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0016 O. (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET serii DiodesZetex DMT61M8SPS został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór stawiany przez stan, utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem d...
Diodes
DMT61M8SPS-13
od PLN 5,018*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 1,3A; Idm: 8A; SC70,SOT323 (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opak...
Nexperia
PMF63UNEX
od PLN 0,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 202 A TSDSON-8 FL 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 202 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukł...
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1
od PLN 6,522*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Mate...
ST Microelectronics
STP65N150M9
od PLN 9,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja...
Nexperia
PSMN057-200P,127
od PLN 7,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: un...
Vishay
SUM90140E-GE3
od PLN 5,055*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   611   612   613   614   615   616   617   618   619   620   621   ..   1442   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.