Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy  (11 197 ofert spośród 4 791 544 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,42Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W P...
IXYS
IXTQ18N60P
od PLN 12,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 189mA; 3,3W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 189mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryz...
ST Microelectronics
STN1NK60Z
od PLN 0,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20A; 165W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polaryzacja: unip...
Toshiba
TK20N60W,S1VF(S
od PLN 9,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6021BLLG
od PLN 71,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1A; 30W; DPAK (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja:...
ST Microelectronics
STD1NK60T4
od PLN 1,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 127ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320...
IXYS
IXFP18N60X
od PLN 20,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20A; 208W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FCP20N60
od PLN 13,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
TK2K2A60F,S4X(S
od PLN 2,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,2A; 40W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipol...
Vishay
IRFIBC40GPBF
od PLN 5,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 18A; 500W; TO247AC (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFP27N60KPBF
od PLN 8,732*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W...
Infineon
IPW60R165CPFKSA1
od PLN 17,657*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,8A; 110W; TO220-3 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polary...
ST Microelectronics
STP6NK60Z
od PLN 2,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,5A; Idm: 16A; 77W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 77W Polaryzacja: unipo...
Bridgelux
BXP4N60D
od PLN 0,87*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPL60R210P6AUMA1
od PLN 5,322*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W...
Infineon
IPB60R165CPATMA1
od PLN 15,94*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   231   232   233   234   235   236   237   238   239   240   241   ..   747   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.