Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy  (11 543 ofert spośród 4 777 929 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTA44P15T
od PLN 14,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -40A; 890W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890...
IXYS
IXTK40P50P
od PLN 59,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -20A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTT20P50P
od PLN 33,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -40A; 3,8W; D2PAK (4 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -40A Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3,8W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: r...
Infineon
IRF5210STRLPBF
od PLN 6,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTQ44P15T
od PLN 16,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolarny; -30V; -3,2A; 2,7W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,7W Polaryzac...
ST Microelectronics
STS5P3LLH6
od PLN 2,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -10A; 190W; 440ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 440ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,79Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR16P60P
od PLN 36,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -5,7A; Idm: -32A; 65W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 65W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQB8P10TM
od PLN 2,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -32A; 300W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTP32P20T
od PLN 21,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -15V; -3A; 1W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 87mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301D
od PLN 2,12*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -15V; -4,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 62mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2305A
od PLN 1,00*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -6,5A; 39W; DPAK (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -6,5A Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 39W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ro...
Infineon
IRFR9120NTRPBF
od PLN 1,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTH140P05T
od PLN 24,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -2,7A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301C
od PLN 1,05*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -4,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2305B
od PLN 2,32*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   371   372   373   374   375   376   377   378   379   380   381   ..   770   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.