| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 0,78* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,839* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 280V; 85A; 430W (1 Oferta) Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: TO247AD;GC (TO247AD) Napięcie dren-źródło: 280V Prąd drenu: 85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 430W Po... |
SHINDENGEN P85GC28HP2F-5100 |
od PLN 11,61* za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30M36B2LLG |
od PLN 87,05* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,18* za szt. |
|
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR MMFTN6190KDW |
od PLN 2,13* za 5 szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30M36B2FLLG |
od PLN 88,93* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,35A; 280mW (2 ofert) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,28W Pola... |
|
od PLN 0,35* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,69* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 2,25A; 13,6W (1 Oferta) Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SC70 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 13,6W Polaryzacj... |
|
od PLN 0,93* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,615* za 5 szt. |
|
|
|
Infineon BSD316SNH6327XTSA1 |
od PLN 0,32* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,885* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RQ5E025TNTL |
od PLN 0,48* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RSF014N03TL |
od PLN 0,47* za szt. |
|
|