Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor RF

  Tranzystor RF  (278 ofert spośród 4 800 360 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor RF“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor RF"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor PNP SOT-23 -45 V Montaż powierzchniowy -500 mA BC807-25 RF (1 Oferta) 
Tranzystory ogólnego zastosowania PNP, tranzystory tajwańskie
Taiwan Semiconductor
BC807-25 RF
od PLN 9,90*
za 100 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor mocy RF LDMOS, 136 ... 941 MHz, Kanał N, 30V, SOT-89 (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Tranzystor mocy RF LDMOS, 136 ... 941 MHz, Typ=AFT05MS004NT1, Ciągły prąd drenu (Id)=-999, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=12 ...
NXP
AFT05MS004NT1
od PLN 10,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 130V; 40A; 500W; M244; 17dB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 130V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 17dB Moc wyjściowa: 350W Moc rozpraszana: 500W Sp...
ST Microelectronics
SD2942W
od PLN 834,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-23 20 V Montaż powierzchniowy 80 mA BF771E6327HTSA1 (2 ofert) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 80 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 20 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
Infineon
BF771E6327HTSA1
od PLN 0,328*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Obudowa: TO72 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 18mA Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,4W Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: THT Właściwości eleme...
NTE Electronics
NTE221
od PLN 36,95*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFP193 tranzystor (2 ofert)
Infineon
BFP193E6327HTSA1
od PLN 0,353*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 20V; 25mA; 200mW (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 25mA Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipolarny Właściwości elementów półprzewodnikowych: ESD protected...
NTE Electronics
NTE455
od PLN 6,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-343 10 V Montaż powierzchniowy 50 mA BFP520FH6327XTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 50 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 10 V Typ opakowania = SOT-343 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFP520FH6327XTSA1
od PLN 0,452*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 125V; 40A; 500W; M244; 16dB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 125V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 16dB Moc wyjściowa: 300W Moc rozpraszana: 500W Sp...
ST Microelectronics
SD2932W
od PLN 725,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-143 12 V Montaż powierzchniowy 80 mA BFP193E6327HTSA1 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 80 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 12 V Typ opakowania = SOT-143 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów...
Infineon
BFP193E6327HTSA1
od PLN 0,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 25V; 50mA; 360mW; TO72; THT (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Obudowa: TO72 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 50mA Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Polaryzacja: unipolarny Montaż elektryczny: THT Właściwości elem...
NTE Electronics
NTE222
od PLN 45,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-323 (SC-70) 20 V Montaż powierzchniowy 80 mA (1 Oferta) 
Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 80 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 20 V Typ opakowania = SOT-323 (SC-70) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BFR193WH6327XTSA1
od PLN 0,315*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pwyj: 630mW (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Obudowa: SOT89 Częstotliwość: 520MHz Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 14,9dB Moc wyjściowa: 630mW Moc rozpraszana: 3W Sprawność: 45...
Toshiba
2SK3475(TE12L,F)
od PLN 6,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-23 20 V Montaż powierzchniowy 80 mA BF771E6327HTSA1 (1 Oferta) 
Silikonowy tranzystor RF Infineon NPN służy do modulowania i wzmacniaczy w tunerach telewizyjnych i magnetowidach.Bez zawartości ołowiu (zgodność z RoHS) Zgodność z normą AEC Q101
Infineon
BF771E6327HTSA1
od PLN 0,497*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
BF2040E6814HTSA1
od PLN 2,48*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   19   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.