Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 067 ofert spośród 4 791 054 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 147 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 147 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Lic...
ST Microelectronics
STGWA20HP65FB2
od PLN 5,744*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 24ns Czas wyłączania: 32...
IXYS
IXYA8N250CHV
od PLN 40,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 75V, 80A, TO-220 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STP75NF75, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=66 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródło...
brak danych
STP75NF75
od PLN 7,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 4,6A; 1,5W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4936CDY-T1-GE3
od PLN 1,29*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP052NE7N3GXKSA1
od PLN 4,503*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 170 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu = Otwó...
Infineon
IGW20N60H3FKSA1
od PLN 6,176*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,39A; 0,25W; SOT563 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Po...
Diodes
DMN2004VK-7
od PLN 1,72*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IRFS3607TRLPBF
od PLN 2,313*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-220 147 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-220 Liczba styków = 3
ST Microelectronics
STGP20H65DFB2
od PLN 5,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 20V; 1,5A; Idm: 3A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...
ROHM Semiconductor
QS5U34TR
od PLN 0,51*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF2807STRLPBF
od PLN 2,53*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247 Wspólny nadajnik kanał: N 238 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 238 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Li...
ST Microelectronics
STGWA40IH65DF
od PLN 11,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 40A; 660W; TO247HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 4,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 350A Czas załączania: 786ns Czas wyłączani...
IXYS
IXYX40N450HV
od PLN 235,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 75V, 82A, TO-220 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF2807PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=82 A, Czas narastania=64 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=49 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źródło...
Infineon
IRF2807PBF
od PLN 3,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 40V; 5,3A; 1,3W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryzacyjna Moc roz...
Vishay
SQ4940AEY-T1_GE3
od PLN 2,43*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   331   332   333   334   335   336   337   338   339   340   341   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.