Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 062 ofert spośród 4 793 998 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 22A; Idm: 88A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5024SVRG
od PLN 95,26*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 230 W (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65WR5XKSA1
od PLN 8,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolarny; 1,1kV; 40A; 1560W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 434ns Napięcie dren-źródło: 1,1kV Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1...
IXYS
IXFB40N110Q3
od PLN 142,16*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie
onsemi
NFVA22512NP2T
od PLN 407,056*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 17,3 A TO-247-4 1200 V 0,224 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 17.3 amperami i 1200 woltami. Może być stosowany w zasilaczu bezprzerwającym, przetworniku DC/DC, przemienniku mocy.Odpływ o pojemności...
onsemi
NTH4L160N120SC1
od PLN 27,997*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 105 A Uce 1200 V 7 EconoPIM 355 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 105 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 355 W Typ opakowania = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT3BOSA1
od PLN 806,857*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 32A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5015BVRG
od PLN 52,46*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,6 kA Uce 3300 V. 2 AG-IHVB130 3600 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,6 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 3300 V. Maksymalna strata mocy = 3600 kW Typ opakowania = AG-IHVB130
Infineon
FZ1600R33HE4BPSA1
od PLN 5 938,868*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 30A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5017BVFRG
od PLN 53,35*
za szt.
 
 szt.
Karta wyjściowa PAXCDS30 do Podwójny Przekaźnik, Podwójny Napęd Triaka/Dual Ssr, Poczwórny Przekaźnik, Tranzystor Z (1 Oferta) 
Karty wtykowe PaX® Setpoint Poczwórny, Otwarty Kolektor, Wersja Do Użytku Wyłącznie z modułami PAX Izolowany tranzystor NPN, maks. 100 ma
Red Lion
PAXCDS30
od PLN 261,685*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 10A; Idm: 24A; 150W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motory...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
od PLN 33,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic +600 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Mitsubishi Electric 1200V podwójnego modułu IGBT ma płaską podstawę i sześć sterowników na moduł o niskim profilu. Ma 600A ciągłego prądu kolektora i nadaje się do twardych przełączania i miękkich ...
Mitsubishi
CM600DX -24T 300G
od PLN 1 442,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 14A; Idm: 44A; 125W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO120E0160
od PLN 34,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 107 A Uce 1200 V Moduł 375 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 107 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = ...
Infineon
FS75R12W2T4BOMA1
od PLN 246,968*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 58A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M80LVFRG
od PLN 123,10*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   411   412   413   414   415   416   417   418   419   420   421   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.