Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 067 ofert spośród 4 795 177 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 74W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Pola...
Genesic Semiconductor
G3R350MT12D
od PLN 14,77*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM100DY-24T 300G
od PLN 492,693*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 438W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17K
od PLN 109,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 16 A Uce 600 V Moduł 68 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 16 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 68 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP10R06W1E3BOMA1
od PLN 121,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 88A; Idm: 300A; 809W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 809W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R20MT17K
od PLN 371,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 303 A Uce 1000 V 4 Q2PACK (bez zawartości Pb/bez zawartości Halidu) 592 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 303 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 592 W Typ opakowania = Q2PACK (bez zawartości...
onsemi
NXH350N100H4Q2F2P1G
od PLN 837,639*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 84 A TO-247-4 1200 V 0,028 oma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 84 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źr...
onsemi
NTH4L020N120SC1
od PLN 119,416*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 20 A Uce 1200 V 7 105 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 105 W
Infineon
FP10R12W1T4BOMA1
od PLN 157,925*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; 463W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 45ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0025120D
od PLN 227,281*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM100TX-24T 300G
od PLN 783,381*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 5A; Idm: 12A; 68W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC750SMA170B4
od PLN 21,12*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 2,4 kA Uce 1200 V PRIME3+ 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,4 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu =...
Infineon
SP005411822
od PLN 4 164,543*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 91W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC090SMA070S
od PLN 27,25*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 39 A Uce 1200 V 7 175 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 39 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 175 W
Infineon
FP25R12W2T4BOMA1
od PLN 235,928*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 27A; 71W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 71W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC360SMA120S
od PLN 27,36*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   421   422   423   424   425   426   427   428   429   430   431   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.