Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 498/1 379)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 6A; 90W (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryza...

ST Microelectronics

STP6N95K5

od PLN 4,55*
za szt.

Infineon DDB6U75N16W1R (1 Oferta)

Infineon DDB6U75N16W1R

Infineon

DDB6U75N16W1RBOMA1

od PLN 143,837*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 1,83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3PF Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 1,83A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 73W...

IXYS

IXTQ3N150M

od PLN 19,88*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 2 A DSO 1EDC20H12AHXUMA1 CMOS 3.1 → 17V (1 Oferta)

Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 3.1 → 17V Liczba styków = 8 Typ opakowania = DSO

Infineon

1EDC20H12AHXUMA1

od PLN 4,788*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 26A; 960W; TO264 (2 ofert)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarn...

IXYS

IXFK26N120P

od PLN 107,08*
za szt.

Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONODUAL Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta)

Infineon EconoDual podwójny moduł IGBT z technologią TRENCHSTOP IGBT4, która ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd kolektora 600 A. Jest on stosowany w sterowaniu silnikiem i napędza, zastoso...

Infineon

FF600R12ME4B72BOSA1

od PLN 994,254*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolarny; 100V; 2,4A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polar...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJS03N10A

od PLN 1,28*
za 5 szt.

Moduł IGBT Ic 73 A Uce 1000 V 6 93x47 (PRESSFIT) (bez Pb i bez Halide-Free Press Fit pins), Q2BOOST - PIM53 79 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 73 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6

onsemi

NXH300B100H4Q2F2PG

od PLN 24 703,03224*
za 36 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 20V; 3,5A; 1W (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL2302A

od PLN 0,85*
za 10 szt.

Moduł IGBT Ic 70 A Uce 950 V 6 20 mW (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6

Infineon

FS3L200R10W3S7FB94BPSA1

od PLN 870,057*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W ...

IXYS

IXTT12N150

od PLN 42,54*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6 A DSO-8 1EDI10I12MFXUMA1 CMOS 15V (2 ofert)

Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 6 A Napięcie zasilania = 15V Liczba styków = 8 Typ opakowania = DSO-8

Infineon

1EDI10I12MFXUMA1

od PLN 2,906*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; Idm: 15A; 175W; D3PAK (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT4F120S

od PLN 19,97*
za szt.

Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V Moduł 3 kW (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 3 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...

Infineon

FZ600R12KE4HOSA1

od PLN 573,769*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 2,9A; 1W (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJL2304A

od PLN 0,87*
za 10 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 491 492 493 494 495 496 497 498 499 500 501 .. 1379 Dalej

Tranzystor (20 676 ofert spośród 4 811 447 artykułów)

"Tranzystor"