Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 904 ofert spośród 4 918 318 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 274 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 274 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005578929
od PLN 7 733,976*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 46,5A; 41,5W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 46,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 41...
Alpha & Omega Semiconductor
AOW296
od PLN 3,14*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD110N12N3GATMA1
od PLN 18,94*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 63A; 140W; DPAK (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 63A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 140W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRLR3110ZTRPBF
od PLN 3,178*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 60 A TO-247-4 1200 V 0,056 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = NTH Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,056 o...
onsemi
NTHL040N120SC1
od PLN 55,419*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 29 A TO-247-4 1200 V 0,08 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = NVH Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,08 om...
onsemi
NVH4L080N120SC1
od PLN 37,371*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W P...
IXYS
IXTA64N10L2
od PLN 35,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 4A; 30W; DPAK (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja...
ST Microelectronics
STD6NF10T4
od PLN 1,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 75 A TSDSON 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TSDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
ISZ080N10NM6ATMA1
od PLN 14,195*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 64A; 357W; TO247-3; 180ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W...
IXYS
IXTH64N10L2
od PLN 20,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 64 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 64 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...
Infineon
BSC066N06NSATMA1
od PLN 2,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 64A; 140W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 64A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 140W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tub...
Infineon
IRFSL4510PBF
od PLN 2,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 294 A PG-HSOF-8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 294 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-HSOF-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005612527
od PLN 17,721*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA045N10N3GXKSA1
od PLN 6,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 4A; 43W; TO220AB (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 43W Polaryzacja: unipola...
Vishay
IRL510PBF
od PLN 1,84*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   541   542   543   544   545   546   547   548   549   550   551   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.