Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (19 939 ofert spośród 4 791 526 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 31,3A; 260W; TO220-3 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 31,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 260W Polaryzacja: un...
onsemi
FDP2710
od PLN 10,67*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF6714MTRPBF
od PLN 23 816,544*
za 4 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor PNP SOT-346 -32 V Montaż powierzchniowy -800 mA 2SB1197KT146Q (2 ofert) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -800 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -32 V Typ opakowania = SOT-346 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC ...
ROHM Semiconductor
2SB1197KT146Q
od PLN 1,005*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 20,4A; Idm: 132A; 235W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 20,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 235W Polaryzacja: unip...
onsemi
FDP33N25
od PLN 4,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP SOT-23 -65 V Montaż powierzchniowy -100 mA BC856B,235 (1 Oferta) 
Tranzystory ogólnego przeznaczenia Nexperia BC856B PNP w małej obudowie z tworzywa sztucznego SOT23 (TO-236AB) do montażu powierzchniowego (SMD).Niskie natężenie prądu Niskie napięcie
Nexperia
BC856B,235
od PLN 0,123*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 142W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQP16N25
od PLN 3,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP SOT-89 -50 V Montaż powierzchniowy -2 A 2SAR553PHZGT100 (1 Oferta) 
Tranzystor mocy ROHM z niskim VCE (SAT), odpowiedni do wzmacniacza o niskiej częstotliwości.Niskie napięcie nasycenia VCE(SAT)-400mV (maks.) (IC/IB-700mA/-35mA) Szybkie przełączanie Kwalifikacja AE...
ROHM Semiconductor
2SAR553PHZGT100
od PLN 1,102*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 36,3A; 125W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 36,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: un...
Vishay
SUP10250E-GE3
od PLN 8,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor NPN TO-220F 700 V Otwór przezierny 4 A APT13005TF-G1 (1 Oferta) 
Tranzystory wysokiego napięcia, Diody Inc
Diodes
APT13005TF-G1
od PLN 67,55*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Infineon
BSC050NE2LSATMA1
od PLN 1,387*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP SOT-346T -50 V Montaż powierzchniowy -1 A 2SAR513RHZGTL (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -1 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
2SAR513RHZGTL
od PLN 0,831*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP SOT-23 -65 V Montaż powierzchniowy -100 mA BC857B,235 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -65 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prądu DC =...
Nexperia
BC857B,235
od PLN 0,0624*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 120A; 480W; TO3P; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W P...
IXYS
IXFQ120N25X3
od PLN 31,05*
za szt.
 
 szt.
Nexperia
PXT2907A,115
od PLN 0,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 4,7A; Idm: 29,6A; 55W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,42Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 55W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FQD9N25TM-F080
od PLN 2,41*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   571   572   573   574   575   576   577   578   579   580   581   ..   1330   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.