 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 93ns Cz... |
ROHM Semiconductor RGWX5TS65DGC11 |
od PLN 15,66*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 24A Typ tranzystora: IGBT Moc roz... |
ST Microelectronics STGD6M65DF2 |
od PLN 2,72*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 225A Typ tranzystora: IGBT Mo... |
ST Microelectronics STGW75M65DF2 |
od PLN 17,54*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 68A; 400W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 440A Czas załączania: 92s Czas wyłączania: 350... |
|
od PLN 82,73*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 660W; TO247 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 180A Czas załączania: 29ns Czas wyłączania: 0... |
|
od PLN 42,44*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 105A; 400W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 105A Prąd kolektora w impulsie: 700A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 214,50*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 140ns... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N120HF1 |
od PLN 31,00*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 27ns Czas w... |
ROHM Semiconductor RGT16NL65DGTL |
od PLN 4,23*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 180A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 107ns Czas wyłączania: 5... |
|
od PLN 172,76*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 48A Czas załączania: 12ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 37,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 300V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 84A Czas załączania: 21ns Czas wyłączania: 11... |
|
od PLN 6,36*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 140ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 130,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 118A Czas załączania: 59ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 33,14*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1,2kW; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 295A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 119ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 156,04*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 29A; 280W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 29A Prąd kolektora w impulsie: 32A Czas załączania: 12ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 48,76*
za szt. |
|
|
