Tranzystory dużej mocy kup korzystnie w Mercateo (strona 17/36)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 400 mA TO-92 60 V Pojedynczy 625 mW 3,5 oma (1 Oferta)

Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, ...

onsemi

BS270

od PLN 18,61*
za 50 szt.

MOSFET N-kanałowy 45 A ISOPLUS247 500 V Pojedynczy 500 W 94 miliomy (1 Oferta)

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Q3. Tranzystory zasilające IXYS klasy Q3 HiperFET™ MOSFET są odpowiednie zarówno do przełączania w trybie trudnym, jak i w trybie rezonansowym, a także zapew...

IXYS

IXFR64N50Q3

od PLN 3 329,2101*
za 30 szt.

MOSFET N-kanałowy 63 A SOT-227 500 V Montaż na śrubie Pojedynczy 780 W 65 miliomów (1 Oferta)

IXYS

IXFN80N50Q3

od PLN 198,961*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 37 A TO-247 600 V Pojedynczy 357 W 104 mΩ (2 ofert)

SuperFET® i SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild uzupełniła serię MOSFET SuperFET® II o wysokonapięciowy wzmacniacz z technologią Super Junction. Zapewnia ona najlepszą...

onsemi

FCH104N60F

od PLN 16,198*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 45 A ISOPLUS247 500 V Pojedynczy 500 W 94 miliomy (3 ofert)

IXYS

IXFR64N50Q3

od PLN 89,44*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 47 A TO-3PN 600 V Pojedynczy 417 W 70 miliomów (1 Oferta)

onsemi

FCA47N60

od PLN 32,071*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 64 A PLUS247 500 V Pojedynczy 1 kW 85 miliomów (3 ofert)

IXYS

IXFX64N50Q3

od PLN 79,16*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 38 A SOT-227 1000 V Montaż na śrubie Pojedynczy 960 W 220 miliomów (1 Oferta)

IXYS

IXFN44N100Q3

od PLN 182,973*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247 650 V Pojedynczy 660 W 69 miliomów (1 Oferta)

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiPerFET™ X2. Tranzystor klasy IXYS X2 klasy HiPerFET Power MOSFET o znacznie mniejszej rezystancji i stopniu naładowania bramki w porównaniu z poprzednimi generacjami...

IXYS

IXFH46N65X2

od PLN 24,255*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 35 W 6,3 milioma (1 Oferta)

RD3G500GN to układ MOSFET z niską rezystancją włączenia do zastosowań przełączania.Niska rezystancja włączenia Obudowa o dużej mocy (TO-252) Bezołowiowa powłoka przewodu Nie zawiera halogenów

ROHM Semiconductor

RD3G500GNTL

od PLN 89,49*
za 25 szt.

MOSFET N-kanałowy 64 A TO-264 500 V Pojedynczy 1 kW 85 miliomów (2 ofert)

IXYS

IXFK64N50Q3

od PLN 98,479*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 5,4 A MSOP 20 V SMD Izolacja 1,3 W 30 miliomów (1 Oferta)

Podwójny MOSFET o mocy N-Channel, Infineon. Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączan...

Infineon

IRF7530TRPBF

od PLN 7,17*
za 5 szt.