Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystory polowe  (11 245 ofert spośród 4 801 571 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory polowe“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN230N20T
od PLN 125,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTP260N055T2 Kanał N Rodzaj obudowy TO-220A (2 ofert) 
Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTP260N055T2 | Dane techniczne: C(ISS): 10800 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 260 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: IXY · Maksymalna temperatur...
IXYS
IXTP260N055T2
od PLN 14,42*
za szt.
 
 szt.
Wzmacniacz operacyjny Montaż powierzchniowy Pojedyncze 1 Tranzystor polowy złączowy 6→ 36 V. SO 1MHz Zamach (2 ofert) 
Wolna praca zapadki Wewnętrzna kompensacja częstotliwości Bardzo niskie zużycie energii: 200 μA Niskie napięcie wejściowe i prądy offsetowe Szeroki zakres napięć wspólnych (do VCC +) i różnicowych ...
ST Microelectronics
TL061CDT
od PLN 0,499*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 180A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI220N200
od PLN 119,00*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFB3207ZPBF
od PLN 5,394*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A PQFN 5 x 6 25 V SMD 0.00115 Ω (1 Oferta) 
Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET mocy HEXFET®, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe półprzewodnikowe z tlenkiem metalu”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tran...
Infineon
IRFH5250TRPBF
od PLN 4,439*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 36A; SOT227B; przykręcany; 694W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN36N100
od PLN 256,464*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC072N08NS5ATMA1
od PLN 14,525*
za 5 szt.
 
 opakowania
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 172ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN300N20X3
od PLN 182,17*
za szt.
 
 szt.
Wzmacniacz operacyjny Montaż powierzchniowy Pojedyncze 1 Tranzystor polowy złączowy 30 V SOIC 1MHz (2 ofert) 
Typ wzmacniacza = Tranzystor polowy złączowy Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ opakowania = SOIC Typ zasilania = Pojedyncze Liczba kanałów na układ = 1 Liczba styków = 8 Typowe napięcie pojed...
Texas Instruments
TL061ID
od PLN 2,248*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 90A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 266ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN90N25L2
od PLN 173,96*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ028N04LSATMA1
od PLN 1,824*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN210N30X3
od PLN 142,48*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF1010ESTRLPBF
od PLN 2,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 42A; ISOTOP; przykręcany; 960W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Moc rozpraszana: 9...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT41F100J
od PLN 358,06*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   750   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.