 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 9,77*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N7002TR-G |
od PLN 0,66*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 250 A Uce 6500 V 3 CTI 1000 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 250 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 6500 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1000 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mo... |
|
od PLN 4 805,934*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 |
od PLN 29,22*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-523 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70025R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70025R-G |
od PLN 0,48*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 250 A Uce 6500 V 3 CTI 1000 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 250 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 6500 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1000 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mo... |
|
od PLN 21 570,646*
za 4 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 190A Czas załączania: 55ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GP60BG |
od PLN 53,43*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-723 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70027R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70027R-G |
od PLN 0,44*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2GC11 |
od PLN 14,429*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,734*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,91*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,89*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 26 A Uce 600 V PG-TO263-3 130 W (1 Oferta) Niskostratnego tranzystora dwubiegunowego z izolowaną bramką Infineon i technologią Fieldstop.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagn... |
|
od PLN 5,351*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Trench; 1,2kV; 48A; 390W; ISO247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISO247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 52ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 33,45*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,563*
za szt. |
|
|
