 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1100 V 1 TO-247 (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1100 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5.8V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Montaż po... |
|
od PLN 8,66*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 32A; 350W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 32A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 70,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 115mA, SOT-363 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002DW, Ciągły prąd drenu (Id)=115 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
|
od PLN 0,40*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V PG-TO247-3 200 W (1 Oferta) Dwubiegunowy tranzystor izolowany Infineon szóstej generacji z serii szybkich przełączników miękkich.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elek... |
Infineon IKW15N120BH6XKSA1 |
od PLN 8,535*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 (1 Oferta) Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE... |
|
od PLN 14,67*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 11A, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM900N06CW RPG, Ciągły prąd drenu (Id)=11 A, Czas narastania=9.5 ns, Czas opadania=5.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.9 ns, Napięcie bra... |
Taiwan Semiconductor TSM900N06CW RPG |
od PLN 1,32*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGWA25IH135DF2 |
od PLN 10,04*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90B |
od PLN 36,22*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP032N06N3GXKSA1 |
od PLN 4,23*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B2D40 |
od PLN 47,52*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 120A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB3306PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=77 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 5,45*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DGC11 |
od PLN 19,264*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 5A; 140W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 20A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 24,68*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP040N06N3GXKSA1 |
od PLN 3,77*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: N 330 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba st... |
|
od PLN 9,949*
za szt. |
|
|
