Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystory  (20 067 ofert spośród 4 795 745 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 3,8A; Idm: 14A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 126mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,33W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SI3474DV-T1-GE3
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 61 A Uce 1200 V 2 Obudowa 180AJ (bez Pb i bez Halide) styki lutownicze 186 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 61 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0SG
od PLN 317,045*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 6A; 540W; TO247-3; 1,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,5µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTH6N150
od PLN 30,25*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM450DY-24T 300G
od PLN 8 336,26*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 11A; 40W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STF20N95K5
od PLN 17,26*
za szt.
 
 szt.
Infineon DDB6U75N16W1R (1 Oferta) 
Infineon DDB6U75N16W1R
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
od PLN 143,707*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 7,6A; 190W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryz...
ST Microelectronics
STW13N80K5
od PLN 12,29*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 16-pinowy 2 A DSO-16 1ED020I12FTXUMA1 CMOS 4.5 → 5.5V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 4.5 → 5.5V Liczba styków = 16 Typ opakowania = DSO-16ns
Infineon
1ED020I12FTXUMA1
od PLN 9,308*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 150V; 2,8A; Idm: 50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarny ...
Vishay
SI4488DY-T1-GE3
od PLN 3,12*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 65 A Uce 600 V 7 175 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 175 W
Infineon
FP50R06W2E3BOMA1
od PLN 212,947*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 1,16A; 70W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD2NK100Z
od PLN 1,60*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 50 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Liczba tranzystorów = 6 Konfiguracja = Mostek 3 fazowy Typ montażu = Montaż na panelu Typ kanału = N Konfiguracja ...
Mitsubishi
PM50CG1B120300G
od PLN 1 109,682*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 6A; 90W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryza...
ST Microelectronics
STF6N95K5
od PLN 4,90*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 70 A Uce 950 V 6 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1
od PLN 870,617*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 11A; 250W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 275mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryza...
ST Microelectronics
STW20N95K5
od PLN 17,583*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   441   442   443   444   445   446   447   448   449   450   451   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.