Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 65 A Uce 600 V 7 175 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445399
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP50R06W2E3BOMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 175 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
65 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
175 W
Liczba tranzystorów:
7
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2445399, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP50R06W2E3BOMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 213,687*
  
Cena obowiązuje od 7 500 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 15 szt.
PLN 240,247*
PLN 295,504
za szt.
od 30 szt.
PLN 223,497*
PLN 274,901
za szt.
od 75 szt.
PLN 219,707*
PLN 270,24
za szt.
od 150 szt.
PLN 217,107*
PLN 267,042
za szt.
od 7500 szt.
PLN 213,687*
PLN 262,835
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.