Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Additonal Images
Nr artykułu:
     3MTJS-1241336
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     FGH40N60SMD
EAN/GTIN:
     5059042131680
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Dyskretne Fairchild Semiconductor
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
80 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
349 W
Typ opakowania:
TO-247
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Wymiary:
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Maksymalna temperatura robocza:
+175°C
Minimalna temperatura robocza:
-55°C
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 1241336, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, FGH40N60SMD
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 427,8102*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 30 szt. (od PLN 14,26034* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 598,65*
PLN 736,3395
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 594,5601*
PLN 731,30892
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 496,6701*
PLN 610,90422
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 455,5602*
PLN 560,33905
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 427,8102*
PLN 526,20655
za opakowanie
Akcesoria
Akcesoria dostępne w naszym asortymencie:
Rodzaj
Fotografia
Artykuł
Producent/nr
Cena
Akcesoria
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
od PLN 74,132*
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.