Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 150 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 750 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Additonal Images
Nr artykułu:
     3MTJS-1241337
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     FGY75N60SMD
EAN/GTIN:
     5059042548150
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Dyskretne Fairchild Semiconductor
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
750 W
Typ opakowania:
TO-247
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Wymiary:
15.87 x 4.82 x 20.32mm
Maksymalna temperatura robocza:
+175°C
Minimalna temperatura robocza:
-55°C
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 1241337, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, FGY75N60SMD
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 446,2602*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 30 szt. (od PLN 14,87534* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 516,3801*
PLN 635,14752
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 512,3301*
PLN 630,16602
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 501,42*
PLN 616,7466
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 468,0102*
PLN 575,65255
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 446,2602*
PLN 548,90005
za opakowanie
Akcesoria
Akcesoria dostępne w naszym asortymencie:
Rodzaj
Fotografia
Artykuł
Producent/nr
Cena
Akcesoria
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
od PLN 74,412*
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.